技術(shù)編號(hào):7520352
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包含產(chǎn)生電磁波的共振隧道二極管(resonant tunneling diode, RTD)的振蕩器。背景技術(shù)共振隧道二極管(RTD)是產(chǎn)生在30GHz 30THz的頻率范圍中的電磁波(在本說明書中被稱為太赫茲波)的電流注入型的太赫茲振蕩器的例子。RTD能夠使用基于半導(dǎo)體量子阱結(jié)構(gòu)中的子帶之間的電子躍遷的電磁波增益在室溫產(chǎn)生太赫茲波。專利文獻(xiàn)1(日本專利公開No. 2007-124250)公開了通過在半導(dǎo)體基板上堆積 (accumulate)由雙...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。