技術(shù)編號：7523133
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide kmiconductor，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)的等效電路。背景技術(shù)LDMOS與其他晶體管相比，在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、開關(guān)性能、散熱性能以及減少級數(shù)等方面優(yōu)勢明顯，因此，大量應(yīng)用于各種高功率開關(guān)電路中。由于LDMOS是一個固有的器件，本身電學(xué)特性復(fù)雜，因此，在電路設(shè)計過程中使用 LDMOS時，往往很難對設(shè)計得到的電路進行準確的判斷...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。