技術(shù)編號(hào):7536108
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及驅(qū)動(dòng)電力用半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置和使用了它的電力變換裝置。背景技術(shù)以功率MOSFET、絕緣柵型雙極晶體管(IGBT)為代表的絕緣柵型的電力用半導(dǎo)體 開關(guān)元件,利用在其柵極與源極或發(fā)射極之間施加的電壓進(jìn)行通斷控制。在例如專利文獻(xiàn) 1中公開了控制其通斷的驅(qū)動(dòng)電路。在專利文獻(xiàn)1中,對(duì)控制馬達(dá)的電流的主開關(guān)即6個(gè) MOSFET進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電路的輸出級(jí)開關(guān)由MOSFET構(gòu)成。作為控制電力的主開關(guān)之一的 MOSFET Ql的柵極-源極間電壓VGS,經(jīng)由端子T2...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。