技術(shù)編號：7536229
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及使用于耐高壓、高頻信號的，具有半導(dǎo)體電源裝置(powerdevice)機(jī)能的半導(dǎo)體裝置，以及利用該半導(dǎo)體裝置的通信系統(tǒng)用的機(jī)器。 背景技術(shù) 近年來，以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良高頻特性、發(fā)光特性、和耐壓特性等特定特性的半導(dǎo)體裝置為目的，積極進(jìn)行新型半導(dǎo)體材料(即含所謂的半絕緣性材料)的開發(fā)。半導(dǎo)體材料當(dāng)中，例如，因?yàn)殂熈?InP)是電子移動度和電子飽和速度都大于具代表性的半導(dǎo)體材料—硅(Si)的半導(dǎo)體，所以可期待被應(yīng)用于下一代的高頻裝置和高溫動作裝置等...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。