技術(shù)編號(hào):7538111
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體管的峰值電壓保護(hù)的保護(hù)電路和方法領(lǐng)域。背景技術(shù) 蜂窩電話射頻(RF)功率放大器(PA)的重要規(guī)范是其耐久性。即使在最差情況的條件下,PA也不應(yīng)擊穿。在天線失配條件以及PA的最大輸出功率條件下,發(fā)生可能超過功率晶體管的擊穿電壓(BV)的較大集電極峰值電壓。GSM PA必須能夠承受10∶1的VSWR(所有相位),并且Vbat=4.7V,因此才能足夠結(jié)實(shí)。在雙極型IC-技術(shù)中,集電極-基極BV和晶體管頻率fT是強(qiáng)相關(guān)的,即fT和BV的乘積是近似恒定...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。