技術(shù)編號：7620042
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用于制造圖像傳感器的方法，更具體而言，涉及用于制造CMOS圖像傳感器以減少泄漏電流的方法。背景技術(shù) 通常，圖像傳感器是用于將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器可被大致分為電荷耦合器件(charge coupled device，簡稱為CCD)和互補金屬氧化物半導(dǎo)體(complementary metal oxidesemiconductor，簡稱為CMOS)圖像傳感器。在CCD的情形下，相應(yīng)的金屬氧化硅MOS電容器相鄰設(shè)置，其中，電荷載...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。