技術(shù)編號：7822718
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要本發(fā)明公開了，包括置于半導體基體中的光電二極管、復位晶體管、源跟隨晶體管、選擇晶體管、漂浮有源區(qū)，還包括第一電荷傳輸晶體管、第二電荷傳輸晶體管以及置于第一電荷傳輸晶體管和第二電荷傳輸晶體管之間的電容。光電二極管在曝光周期中，第一電荷傳輸晶體管做開啟并關(guān)閉操作多于1次，進而將多于1倍光電二極管飽和容量的光電電荷存儲在電容中；光電二極管曝光結(jié)束時，將存儲在電容中的光電電荷轉(zhuǎn)移至漂浮有源區(qū)，進行讀取光電信號操作，從而提高了圖像傳感器像素的電荷飽和容量。專利說明 技術(shù)領(lǐng)域 [0001]本發(fā)明涉及圖像傳感器領(lǐng)域，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。