技術(shù)編號(hào)：7858290
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種具有埋入溝道型金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的半導(dǎo)體裝置及其制造方法，還涉及一種固體攝像裝置及其制造方法。而且，本發(fā)明涉及一種使用所述固體攝像裝置的電子單元。背景技術(shù)在相關(guān)技術(shù)中，形成于半導(dǎo)體裝置或固體攝像裝置中的常規(guī)MOS晶體管為表面溝道型MOS晶體管，在該表面溝道型MOS晶體管中，柵極下方的區(qū)域?yàn)閷?dǎo)電型與源極/漏極區(qū)的導(dǎo)電型相反的雜質(zhì)區(qū)。在表面溝道型MOS晶體管中，當(dāng)對(duì)柵極施加電壓時(shí)，在半導(dǎo)體基板的前表面上形成包含反轉(zhuǎn)層的溝道，并且在源極區(qū)和漏極區(qū)之間流過(guò)電流。由于在半導(dǎo)體基板前表面上出...
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