技術(shù)編號:7974118
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種CMOS圖像傳感器。更具體地,本發(fā)明涉及一種CMOS圖像傳感器及其制造方法,該傳感器能夠通過減小浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的漏電流改善圖像傳感器的特性。相關(guān)技術(shù)的描述通常,圖像傳感器是用于把光學(xué)圖像轉(zhuǎn)變成電信號的半導(dǎo)體器件,并分為電荷耦合器件(CCD)和CMOS圖像傳感器。CCD具有多個(gè)光電二極管(PD),為了把光信號轉(zhuǎn)變成電信號,其以陣列形式排列。CCD包括多個(gè)在陣列中垂直設(shè)置的在光電二極管之間的垂直電荷耦合器件(VCCD),以使當(dāng)電荷從每個(gè)光電二極管產(chǎn)生時(shí)在垂直方向上傳輸,CCD還包括用于在水平方向上傳輸...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。