技術(shù)編號：8008216
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種基于逆變器組的外加散熱裝置，以改進(jìn)逆變器的散熱功能。背景技術(shù)目前，大部分的逆變器都采用散熱器直接散熱，基本上是對于IGBT的發(fā)熱進(jìn)行傳輸散熱，但是有時(shí)候散熱功能不佳或不能及時(shí)的散熱導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的性能達(dá)不到最佳，IGBT也因?yàn)檫_(dá)到了某個(gè)溫度而引起保護(hù)，致使功率不能始終維持在額定功率，減小了資源的利用率。絕緣柵雙極型晶體管[IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)]是由 BJT (雙極型三極管)和MOS (絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半...
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