技術編號：8009752
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及引上法制造硅單晶的設備。在大規(guī)模集成電路LSIs領域中。一直存在著逐年增大單晶直徑的要求。近來，絕大多數(shù)的現(xiàn)代裝置使用直徑6英寸的晶體。據(jù)信不久的將來需要直徑為10英寸或更大如12英寸的晶體。引上法(CZ法)，就制備晶體而言包括兩種設計思想，第一種是該方法中坩堝是旋轉的，第二種是該方法中坩堝不旋轉。目前所有用于大規(guī)模集成電路的CZ晶體制備時，皆讓坩堝逆著晶體轉動方向來旋轉，且坩堝主要由其側面的電阻加熱器來加熱。盡管作了許多努力，然而直至目前，尚未用不轉動坩堝或者用其他非上述的加熱方式制出直徑超過5...
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