技術(shù)編號：8029524
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及在SiC單晶襯底、特別是4H-SiC單晶襯底上外延生長SiC單晶、特別是4H-SiC單晶的方法。背景技術(shù) SiC與Si相比具有更大的能帶隙，因此在日本未審專利公報(bào)(公開)第2003-300797號、日本未審專利公報(bào)(公開)第2003-300796號、日本未審專利公報(bào)(公開)第2003-342099號、日本未審專利公報(bào)(公開)第2001-181095號、日本未審專利公報(bào)(公開)第10-17399號等中提出了適合作為半導(dǎo)體材料等的高品位SiC單晶的各種制造技術(shù)。但是，上述技術(shù)存在以下問題(1)劣化半導(dǎo)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。