技術(shù)編號：8030238
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實施例涉及生產(chǎn)用于電子元件制造的單晶硅的領(lǐng)域。具體地， 本發(fā)明的實施例涉及通過施加可變磁場控制生長晶體的熔體-固體界面形狀。背景技術(shù)單晶硅是大多數(shù)用于制造半導(dǎo)體電子元件的工藝中的原料，它通常根據(jù)所謂的直拉法(Czochralski)工藝準(zhǔn)備。在此工藝中，將多晶體硅或者 多晶硅填充到坩堝內(nèi)并進行熔化，使籽晶與熔融的硅接觸，并通過較緩慢 的抽拔來生長單晶體晶錠。在完成頸部的形成之后，減小拉晶速率和/或熔 體溫度以使晶體的直徑擴大，直到達到預(yù)期或目標(biāo)直徑。然后，通過控制 拉晶速率和熔體溫度并同時補償降低的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。