技術(shù)編號(hào)：8030281
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及在給硅熔融液外加縱向磁場(chǎng)的同時(shí)，將硅單晶棒從硅熔 融液中提拉的裝置及其方法。背景技術(shù)以前，人們所熟知的培育硅單晶棒的方法有從坩堝內(nèi)的熔融液中使半導(dǎo)體用的高純度硅單晶棒生長(zhǎng)的切克勞斯基法(以下稱為cz法)。在cz法中，利用設(shè)置在石英坩堝周圍的碳棒加熱器加熱石英坩堝內(nèi)的硅熔融液，并維持在一定溫度，讓鏡蝕刻的籽晶與硅熔融液接觸，然后 讓該籽晶旋轉(zhuǎn)并不斷提拉，生成硅單晶棒。在這種硅單晶棒的培育方法 中，提拉籽晶時(shí)，從硅熔融液形成籽晶收縮部分以后，結(jié)晶漸漸長(zhǎng)大， 直到達(dá)到目標(biāo)硅單晶棒的直徑大小，這時(shí)形成肩部...
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