技術(shù)編號(hào)：8033980
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別指VGF法或VB法生長半導(dǎo)體單晶工藝中晶錠與PBN坩堝脫離方法及設(shè)備。背景技術(shù) III-V族化合物半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)材料的重要組成部分，其中如砷化鎵，磷化銦作為發(fā)展超高速集成電路，微波單片電路，光電子器件及其光電集成的基礎(chǔ)材料受到了廣泛重視。尤其是VGF法或VB法能生長大直徑、低位錯(cuò)、低熱應(yīng)力、高質(zhì)量的砷化鎵單晶，其應(yīng)用前景非常廣泛，可用于制造LED、LD和GaAs IC。然而，在VGF法或VB法生長完體單晶后，晶錠與PBN坩堝之間由于三氧化二硼B(yǎng)2O3的覆蓋、粘連影響，很難脫離...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。