技術(shù)編號(hào)：8044493
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及晶體生長材料的處理。更具體地，本發(fā)明提供一種通過氨堿性或氨酸性方法來大規(guī)模制造含鎵氮化物晶體和/或晶棒的設(shè)備和方法等。這種晶體和材料包括但不限于GaN、AlN、InN, InGaN, AlGaN和AlInGaN,以及用于制造塊體或圖案化襯底的其它材料。這種塊體或圖案化的襯底可用于各種應(yīng)用，包括光電子器件、激光器、發(fā)光二極管、太陽能電池、光電化學(xué)水分解和氫生產(chǎn)、光電檢測(cè)器、集成電路和晶體管以及其它器件。背景技術(shù)包含氮化鎵的晶體材料用作制造常規(guī)光電子器件例如藍(lán)色發(fā)光二極管和激光器的起始點(diǎn)。這種光電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。