技術(shù)編號：8064826
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導體器件制造設備，尤其是涉及使用真空系統(tǒng)的半導體器件制造設備。背景技術(shù) 在用使用真空系統(tǒng)的半導體器件制造設備制作半導體器件的狀況下，在加工室的壓力降低(泵停下來)期間形成微粒，并且形成的微粒降落在那里加工的晶片上。這種半導體晶片的微粒沾污大大降低半導體器件的成品率和可靠性。隨著晶片直徑和較高集成度的增大這個問題更為嚴重。在壓力降低或放氣期間，微粒形成被認為是由氣體的絕熱膨脹引起凝聚的機理所造成的(見“真空泵停機期間凝聚-引起的微粒形成”Yan Ye等Journal of The Electroc...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。