技術(shù)編號(hào):8065524
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種長(zhǎng)晶爐加熱裝置,屬于人工晶體成長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域。 背景技術(shù)氧化物人工晶體在現(xiàn)代科技產(chǎn)品的運(yùn)用中十分重要;以單晶藍(lán)寶石晶體運(yùn)用于光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)光二極管(LED)為例,氮化鎵(GaN)的材料研究也已超過(guò)二十年,但一直因?yàn)闆](méi)有晶格常數(shù)配合的基板(Substrate),所以晶體生長(zhǎng)不好,并且ρ型氮化鎵不易制成,所以進(jìn)展緩慢;這些問(wèn)題一直到1983年,日本的田貞史博士(SJoshida)等人用氮化鋁(AlN) 在藍(lán)寶石(Sapphire)基板上先用高溫生長(zhǎng)作為緩沖層,再在其上生長(zhǎng)氮化鎵時(shí),結(jié)晶較好;之后,名...
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