技術編號：8075894
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。專利摘要本發(fā)明公開了一種基于MOCVD設備的圓片級石墨烯可控外延方法，主要解決現(xiàn)有技術工序復雜和有效面積小的問題。其實現(xiàn)步驟如下（1）將圓片級襯底放入MOCVD生長室，并向反應室通入H2，對襯底表面進行預處理；（2）向反應室通入過渡族金屬有機源五戊銅或二茂鎳，原位淀積金屬薄膜；（3）向反應室通入H2，對步驟（2）中淀積的金屬薄膜進行原位退火；（4）向反應室通入Ar和CH4，使C原子溶解于金屬薄膜中或吸附于金屬薄膜的表面上；（5）向反應室通入BH3或NH3，使得B或N原子溶解于金屬薄膜中；（6）自然降溫到100℃以下...
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