技術(shù)編號：8076403
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要本發(fā)明提供了一種CuI晶體的生長方法，屬于光電功能材料技術(shù)中的晶體生長領(lǐng)域。該方法使用NH4Cl、NH4Br、NH4I等為助溶劑，銅片作為還原劑，生長溫區(qū)70-40℃，采用水溶液溫差法生長晶體。本發(fā)明采用的溫差法生長技術(shù)具有生長設(shè)備簡單、成本低廉、生長溫度低以及晶體生長不受溶解度限制等優(yōu)點，所生長的CuI晶體純度高、均勻性好、尺寸較大，因此作為新一代的超快閃爍晶體，有望在未來超高計數(shù)率電子、γ射線和X射線測量中發(fā)揮重要作用，同時還作為一種半導(dǎo)體材料用作太陽能電池材料、超導(dǎo)材料和光催化材料。專利說明—種高質(zhì)量...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。