技術(shù)編號(hào):8078981
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)本發(fā)明涉及一種用于在直拉法(即Czochralski法)生長(zhǎng)的硅晶體中得到低電阻率的多級(jí)砷摻雜法。砷由于在硅中的高溶解度,因而是一種用來(lái)在直拉法生長(zhǎng)的硅晶體中得到較低電阻率的理想摻雜劑。然而砷在高于617℃的溫度下十分容易揮發(fā)。硅熔體的表面是在其熔點(diǎn)(1412℃)或更高溫度下。在流行的實(shí)際應(yīng)用中,砷是從位于熔體液面上方幾英尺的一個(gè)進(jìn)料斗中加入溶體。然而,由于較高的溫度,砷損失到周圍環(huán)境(氬氣)中很嚴(yán)重,這種情況造成粒子(顆粒)產(chǎn)生。氧化物粒子(低價(jià)氧化物)的產(chǎn)生由于砷的升華作用造成溫度局部下降而增加。這些粒...
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