技術(shù)編號(hào):80820
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及集成電路的制造。特別是本發(fā)明涉及在集成電路制作過(guò)程中在襯底上形成硅石污斑的方法,及硅石污斑測(cè)試結(jié)構(gòu)及其制造方法。 背景技術(shù)在生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路時(shí),晶片在加工過(guò)程中時(shí)常要使用濕化學(xué)試劑。例如,有些加工過(guò)程需要把已構(gòu)圖的晶片浸入濕的、液體化學(xué)試劑中進(jìn)行腐蝕。在晶片的暴露部分被濕化學(xué)試劑腐蝕掉后,將晶片取出,再用去離子水清洗,然后干燥。 清洗和干燥后,發(fā)現(xiàn)在晶片表面有時(shí)會(huì)出現(xiàn)硅石污斑。硅石污斑是由清洗液中的溶解二氧硅產(chǎn)生的,它們?cè)诟稍镞^(guò)程中又重新淀積在晶片表面上。如果晶片在清洗和干燥后,留下了足夠厚...
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