技術(shù)編號(hào):8089478
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本實(shí)用新型涉及碳化硅晶體制備領(lǐng)域,特別涉及一種用于制備碳化硅晶體的坩堝。包括坩堝上蓋、坩堝底和擋板,所述坩堝上蓋設(shè)置在所述坩堝底的上部,所述坩堝上蓋與所述坩堝底形成容納腔,所述擋板設(shè)置在所述容納腔內(nèi),且所述擋板的邊緣與所述坩堝底的側(cè)壁緊密接觸;所述擋板上設(shè)有通孔。本實(shí)用新型的技術(shù)方案通過(guò)在坩堝擋板上設(shè)置通孔,并根據(jù)所需摻雜的濃度和摻雜分布情況,對(duì)通孔的數(shù)量、位置、直徑以及擋板的厚度進(jìn)行調(diào)整,使晶體生長(zhǎng)過(guò)程中沉積入晶體內(nèi)的摻雜劑濃度保持基本恒定,提高晶體電阻率軸向和徑向均勻性。專利說(shuō)明一種用于制備碳化硅晶體的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。