技術(shù)編號：8090786
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要一種等離子體背場增強軌道，其特征在于，所述的等離子體背場增強軌道包括主軌道和梯度外軌。所述的主軌道為水平布置的兩根平行的金屬軌道。所述的梯度外軌由對稱地成對布置于主軌道上下兩側(cè)的單邊梯度外軌組成。背場增強軌道產(chǎn)生沿前進方向上具有梯度的磁場，該磁場對等離子體在推進方向上產(chǎn)生壓縮，抵消等離子體在高溫高壓膨脹狀態(tài)下的發(fā)散作用。專利說明一種等離子體背場增強軌道技術(shù)領(lǐng)域[0001 ] 本發(fā)明涉及一種等離子體電磁軌道裝置。背景技術(shù)[0002]等離子軌道直線推進是利用強脈沖電流(幾十kA甚至幾MA級)形成磁場與電流相互的...
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