技術(shù)編號(hào)：8092320
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利摘要本發(fā)明揭示了一種，其包括以下步驟S1、提供一坩堝，并在坩堝內(nèi)壁上涂敷氮化硅涂層，在氮化硅涂層上涂敷晶態(tài)硅粉涂層；S2、在上述涂敷后的坩堝內(nèi)側(cè)的底部鋪設(shè)一定厚度的隔離層，并在隔離層上鋪設(shè)一層碎硅料，然后放入多晶硅原料；S3、將裝有多晶硅原料的坩堝放置于一定向凝固鑄錠爐中抽真空，然后加熱使所述多晶硅料熔化進(jìn)入長(zhǎng)晶階段；S4、進(jìn)入長(zhǎng)晶階段后調(diào)節(jié)控溫?zé)犭娕嫉臏囟群蛡?cè)部隔熱籠向上移動(dòng)的速率，使熱量向下輻射而使熔硅在豎直向上的溫度梯度下自下向上生長(zhǎng)；S5、待所述熔硅結(jié)晶完后經(jīng)退火和冷卻形成多晶硅錠。專利說明技術(shù)領(lǐng)域[0...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。