技術(shù)編號：8093599
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。專利摘要本發(fā)明涉及制造碳化硅單晶的方法和碳化硅單晶襯底。提高了碳化硅單晶的質(zhì)量。制備具有第一側(cè)和第二側(cè)的坩堝。將用于利用升華方法生長碳化硅的固體源材料布置在第一側(cè)。將由碳化硅制成的籽晶布置在第二側(cè)。將坩堝布置在絕熱容器中。絕熱容器具有面向第二側(cè)的開口。加熱坩堝，使固體源材料升華。通過絕熱容器中的開口測量第二側(cè)的溫度。開口具有向著絕熱容器的外側(cè)變窄的錐形內(nèi)表面。專利說明制造碳化硅單晶的方法和碳化硅單晶襯底 技術(shù)領(lǐng)域 [0001 ] 本發(fā)明涉及制造碳化硅單晶的方法和碳化硅單晶襯底。 背景技術(shù) [0002] 近年...
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