技術編號：8097847
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域一般，本發(fā)明涉及一種按照直拉法的單晶硅錠制備。尤其是，本發(fā)明涉及一種方法，所述方法用于在晶錠生長時，利用設置在硅熔體下方的加熱器來控制晶錠的熱過程(熱史，受熱歷程)，以便限制由晶錠得到的晶片中與空位有關的聚集缺陷的密度和尺寸，并改善上述晶片的柵氧化層完整性。背景技術 單晶硅通常用所謂的直拉(“Cz”)法制備，所述單晶硅在大多數(shù)場合是用于制造半導體電子元件的原材料。在這種方法中，將多晶硅(“多硅”)裝入坩堝并熔化，使一個籽晶與熔化的硅接觸并通過緩慢提取法生長單晶。在晶頸形成完成之后，通過降低拉速和/或熔體溫度...
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