技術(shù)編號：8120746
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及在真空室內(nèi)RF電極和對置電極互相相對配置，并利用兩者間生成的等離 子對保持在所述RF電極上的基板進行加工的所謂平行平板型等離子處理裝置及其等離子 處理方法。背景技術(shù)對半導(dǎo)體晶片等的基板進行布線等作業(yè)之際，需要對所述基板實施精細的加工處理， 因此以往常常使用采用等離子的處理裝置?，F(xiàn)有的等離子處理裝置中，高頻(RF)電極和對置電極互相相對配置于抽排至預(yù)定真 空度的真空室內(nèi)，并將要用于處理的基板保持于RF電極的與對置電極相對的主面上，構(gòu) 成所謂平行平板型等離子處理裝置。其構(gòu)成為如箭頭所示將等離子生成以及...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。