技術(shù)編號：8121470
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域這里公開的一個或者多個實施例涉及處理包括半導(dǎo)體襯底在內(nèi)的襯底。 背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造過程中，通過經(jīng)蝕刻選擇性地除去;定積的薄膜，在晶片上 形成希望的圖案。薄膜可以包括二氧化硅膜、氮化-圭膜或者光致抗蝕劑膜。 氧化物和氮化物膜允許進行更好的蝕刻。但是，仍然要求在半導(dǎo)體襯底處理 上的改進。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種用于產(chǎn)生等離子體的電極構(gòu)件，包括電極板；以及冷卻單元，所述冷卻單元具有與所述電極板熱接觸的多個 熱電模塊。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種襯底處理i殳備，包括具有內(nèi)部空 間的室；以及電極...
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