技術(shù)編號：8122431
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種半絕緣氮化物半導(dǎo)體襯底及其制造方法、氮化物半導(dǎo)體外延襯底和場效應(yīng)晶體管。氮化物半導(dǎo)體涉及到氮化鎵(GaN)、 氮化鋁(A1N)和氮化銦(InN)以及諸如InGaN、 AlInGaN等的混合 晶體。比起貼附到下襯底上的薄膜，自支撐晶體襯底是引人注意的。 在此將主要討論GaN。由于GaN具有寬帶隙，因此將GaN用作發(fā)藍(lán)光元件。發(fā)光元件諸如發(fā)藍(lán)光二極管和半導(dǎo)體激光器通常通過在藍(lán)寶石 (a -A1203)單晶襯底上外延生長例如由InGaN、 GaN和AlInGaN組 成的氮化物半導(dǎo)體薄膜晶體制造。藍(lán)寶...
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