技術(shù)編號：8122434
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于研究磁場條件對配合物結(jié)晶干預(yù)的實驗裝置，屬于C30B單晶生長領(lǐng)域。背景技術(shù)配合物小晶體的合成探索、結(jié)構(gòu)分析及其應(yīng)用評價等研究工作具有雙重意 義， 一方面，有助于進(jìn)一步深入地探求相關(guān)科學(xué)規(guī)律，另一方面，某些具有潛 在應(yīng)用前景的新型功能性晶體材料也有望在這一過程中得以揭示。這類研究中，首先要做的事情，是探査新晶體的合成條件，其中，室溫或 近室溫條件下的溶劑揮發(fā)法因其溫和的方式而通常被優(yōu)先關(guān)注。由于存在諸多的可能影響配合物小晶體生長速率及晶體品質(zhì)的條件因素， 因而，篩査性的合成實驗通常是必須的...
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