技術(shù)編號：81247
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 所屬技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于集成電路制造工藝中的光刻技術(shù)，特別是關(guān)于一種采用正四極照明的曝光方法及其裝置。 背景技術(shù)隨著集成電路的不斷發(fā)展，晶體管的最小線寬不斷縮小。先進(jìn)CMOS工藝中晶體管柵極的長度已小于0.1微米。特征線寬的不斷縮小導(dǎo)致了芯片集成度的大幅度提高，但也給光學(xué)光刻工藝帶來了巨大的挑戰(zhàn)。 為了得到更小的線寬，人們也在嘗試采用電子束光刻、X光光刻和離子束光刻等其他光學(xué)光刻的替代方法，但因成本、速度以及掩模版制造上的困難，目前還都難以和光學(xué)光刻方法相抗衡，在所有的實(shí)際大生產(chǎn)中都仍然采用光學(xué)光刻的方法。 ...
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