技術(shù)編號(hào)：8137409
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及用于形成例如半導(dǎo)體膜的成膜方法與成膜裝置。 背景技術(shù)作為形成薄膜的方法，等離子體化學(xué)蒸鍍沉積(CVD)已經(jīng)被廣泛地使用。等離子體CVD的示例具有很多種類的方法，例如電容性耦合CVD、電感性耦合CVD、微波CVD和 ECR-CVD。其中，已經(jīng)最為廣泛地使用的是電容性耦合CVD。電容性耦合CVD在一對(duì)平行板電極之間激發(fā)等離子體。因此，與其他方法相比，具有簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)的電容性耦合CVD可沉積均勻的膜。電容性耦合CVD可形成各種薄膜，包括諸如硅基薄膜、SiC、GaAs和GaN膜的半導(dǎo)體膜，諸如SiNjn Si...
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