技術(shù)編號(hào)：8139180
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請(qǐng)的交互引用本申請(qǐng)基于申請(qǐng)于2001年8月27日，系列號(hào)為60/315181的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)，該申請(qǐng)因各種目的通過(guò)引用而結(jié)合在本文中，本申請(qǐng)并要求對(duì)該申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。 發(fā)明背景技術(shù) 領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)，更具體地涉及適用于制造薄膜晶體管(“TFT”)半導(dǎo)體器件的技術(shù)。背景技術(shù) 眾所周知，諸如硅薄膜的半導(dǎo)體薄膜被用于為液晶顯示器件和有機(jī)光發(fā)射二極管顯示器件提供像素。這樣的薄膜通常通過(guò)準(zhǔn)分子激光退火法(“ELA”)加工，該方法中，無(wú)定形硅薄膜通過(guò)準(zhǔn)分子激光的照射使其結(jié)晶。大量的努力被投入到對(duì)“常規(guī)”的EL...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。