技術(shù)編號(hào)：8140857
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施方式主要涉及等離子體處理設(shè)備。 背景技術(shù)電感耦合等離子體(ICP)工藝反應(yīng)器主要通過(guò)由設(shè)置在處理腔室外部的一個(gè)或 多個(gè)感應(yīng)線圈在處理腔室內(nèi)設(shè)置的工藝氣體中感應(yīng)電流來(lái)形成等離子體。這些感應(yīng)線圈可 設(shè)置在所述腔室外，并通過(guò)例如介質(zhì)蓋(dielectric lid)而與所述腔室電性隔離。當(dāng)射頻 (RF)電流經(jīng)由來(lái)自RF電源的RF饋電結(jié)構(gòu)(feed structure)饋送(feed)到這些感應(yīng)線圈 時(shí)，能由這些感應(yīng)線圈所產(chǎn)生的電場(chǎng)而在腔室內(nèi)部形成電感耦合等離子體。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了由于RF饋電結(jié)構(gòu)的不對(duì)稱形...
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