技術(shù)編號：8141781
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及通過表面處理改善半導(dǎo)體納米晶體的發(fā)光效率，更具體地涉及一種改 善由濕法化學(xué)方法制備的半導(dǎo)體納米晶體發(fā)光效率，不改變納米晶體的發(fā)光特性例如發(fā)光 波長和其分布的方法。背景技術(shù)當(dāng)把半導(dǎo)體化合物材料制成納米尺寸晶體(納米晶體)時，量子限制效應(yīng)在比化 合物半導(dǎo)體材料體積激發(fā)子玻爾半徑更短的范圍中顯現(xiàn)出來。由于量子限制效應(yīng)，改變了 與半導(dǎo)體材料各自帶隙相應(yīng)的特征能量。當(dāng)能夠發(fā)射可見光的半導(dǎo)體化合物被制成納米晶 體時，半導(dǎo)體納米晶體化合物的頻帶隙能量開始增加，從而藍(lán)移，可以觀察到隨納米晶體尺 寸降低至特定尺寸，...
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