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一種利用Al插入層外延生長(zhǎng)NiSiGe材料的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):8143082

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技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種晶體管的制造工藝,尤其涉及制造工藝中晶體管的源漏極部分的制造方法,屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)傳統(tǒng)晶體管的源漏區(qū)域,半導(dǎo)體和金屬電極之間直接接觸,接觸電阻很大,形成的肖特基勢(shì)壘很高,從而影響了器件的性能。M和Si材料反應(yīng)生成MSi硅化物來(lái)作為接觸材料,從而可以大幅度降低接觸電阻和肖特基勢(shì)壘,得到了廣泛的應(yīng)用,目前在Intel和AMD 等廠家生產(chǎn)的MOSFET晶體管源漏區(qū)域,都采用了 NiSi作為接觸材料。隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,SiGe作為一種新型的高遷移率材料,是未來(lái)的理想替代 Si的材料...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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