技術編號：8153608
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及一種晶體制備裝置，特別是一種碲鋅鎘晶體的制備裝置，可用于獲得高純度的碲鋅鎘晶體，制備符合作為探測器級別要求的特種晶體材料。背景技術由于CdZnTe(CZT)具有較高的平均原子序數(shù)和較大的禁帶寬度，所以CZT探測器具有較大的吸收系數(shù)、較高的計數(shù)率，尤其是不需任何的冷卻設備就能在室溫下工作，因而體積較小、使用更加方便。目前，CZT探測器的廣泛應用主要受到晶體性能、體積和成本等幾方面的限制，晶體的制備方法主要是采用高壓布里奇曼法或改進的垂直布里奇曼法生長CZT晶體。但是，這兩種方法通常為了獲得高電阻晶體...
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