技術(shù)編號：8154042
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及材料制備領(lǐng)域，具體是一種制備Si-TaSi2共晶自生復合材料的方法。背景技術(shù)難熔金屬硅化物TaSi2具有高熔點(Tm = 2040° C)、良好的抗氧化性、較低的功函數(shù)(cp=0.59eV)，且與硅有很好的結(jié)合強度，因此Si-TaSi2共晶自生復合材料被認為是一種具有廣闊應(yīng)用前景的新型冷場致發(fā)射材料。目前，常用的制備所述Si-TaSi2共晶自生復合材料的方法有以下幾種 I、Czochralski (CZ)法。 文獻 “D. M. Ditchek, J. Hefter, T. R. Middleto...
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