技術(shù)編號：8158814
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本實用新型涉及一種用于控制鑄錠晶體生長界面形狀的裝置。背景技術(shù)鑄造法生長的硅晶體是目前太陽電池用的主要基體材料之一。因其較低的生產(chǎn)成本，在光伏行業(yè)中占有約80%的市場份額。但由于其本身的缺陷，晶界、位錯、雜質(zhì)等，制約著電池轉(zhuǎn)換效率的提升。目前在鑄錠硅晶體生長過程中，主要通過降低加熱器功率和提升隔熱籠位置來降低熱場底部溫度，在熱場底部的石墨熱交換臺中形成一定的溫度梯度，使晶體從下向上定向凝固生長。該散熱方式在一定程度上加大晶體兩側(cè)的散熱，大于底部中間的散熱程度，必然使得固液界面呈下凹型如圖I所示，從而造成固液...
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