技術(shù)編號(hào)：8162824
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種環(huán)形器磁屏蔽組件。背景技術(shù)環(huán)形器是將進(jìn)入其任一端口的入射波，按照由靜偏磁場(chǎng)確定的方向順序傳入下一個(gè)端口的多端口器件?，F(xiàn)有的環(huán)形器具有磁泄漏較大，磁路效率較低，外部磁場(chǎng)對(duì)環(huán)形器電性能的影響較大，環(huán)形器周圍的磁敏感元器件易受環(huán)形器磁場(chǎng)的影響，永磁體的能量只有少部分集中在環(huán)形器內(nèi)，能量利用率較低等缺點(diǎn)。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的即在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種環(huán)形器磁屏蔽組件，提供一個(gè)低磁阻通道，提高環(huán)形器磁路效率，減小磁泄漏，減少外部磁場(chǎng)對(duì)環(huán)形器電性能的影響，保護(hù)環(huán)形器周圍的磁敏感元器件...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。