技術(shù)編號(hào):8164795
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及硅制備エ藝單晶生產(chǎn)線圈,尤其涉及ー種用于拉制6寸區(qū)熔單晶娃加熱線圈。背景技術(shù)在硅制備技術(shù)領(lǐng)域,區(qū)熔法將一多晶硅棒通過(guò)環(huán)帶狀加熱器,以產(chǎn)生局部融化現(xiàn)象,再控制凝固過(guò)程而生長(zhǎng)單晶棒,在生長(zhǎng)單晶時(shí),使圓柱形硅棒固定于垂直方向旋轉(zhuǎn),用高頻感應(yīng)線圈在氬氣氣氛中加熱,使棒的底部和在其下部靠近的同軸固定的單晶籽晶間形成熔滴,這兩個(gè)棒朝相反方向旋轉(zhuǎn),然后將在多晶棒與籽晶間僅靠表面張カ形成的熔區(qū)沿棒長(zhǎng)逐步向上移動(dòng),將其轉(zhuǎn)換成單晶。但對(duì)于目前同類裝置,很多因線圈結(jié)構(gòu)與局部尺寸不 合理受限,使其不利于大直徑單晶的生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。