技術(shù)編號(hào)：81666
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，特別涉及一種能夠提前發(fā)現(xiàn)絕緣層內(nèi)部空隙的半導(dǎo)體晶片及其制造方法。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件已經(jīng)具有深亞微米結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體集成電路IC中硅襯底表面包含數(shù)量龐大的跨度小于0.2微米的溝槽和凸棱。在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)電路中，凸棱用于形成多晶硅柵極，溝槽用于在柵極之間形成隔離層。利用化學(xué)氣相淀積CVD或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積PECVD工藝在硅襯底表面淀積絕緣層，作為多晶硅柵極和MOS晶體管的第一金屬層之間的隔離層。由于這種隔離層一般在多級(jí)金屬結(jié)構(gòu)中的任意金屬級(jí)...
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