技術編號：8183232
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及半導體材料的制造，特別是高摻雜濃度的碳化硅外延生長的 方法。 背景技術近年來，由于大功率和高頻電路的增加，相應增加了對既能處理較大功 率負載又能在更高頻率下工作的晶體管的需求。人們除了在器件結構設計上 不斷改進以外，更基本的是器件工作參數(shù)更依賴于材料本身的特性。電子遷移率是電場存在情況下電子加速到它的飽和速度的快慢程度的測 量值，飽和電子漂移速度是在半導體材料中電子獲得的最大速度。因為較高 速度使得器件從源到漏得時間較短，所以對于高頻應用來說，優(yōu)先選用具有 較高電子飽和漂移速度的材料。擊穿場強是肖...
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