技術(shù)編號(hào)：8183647
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及晶體生長(zhǎng)爐，特別涉及一種用于晶體生長(zhǎng)的熱屏蔽內(nèi)層。背景技術(shù)現(xiàn)有的用于晶體生長(zhǎng)的熱屏蔽內(nèi)層由圖1所示的組件砌成，這樣形成的熱屏蔽內(nèi)層組件之間縫隙直通，從而造成熱損失大，溫場(chǎng)不穩(wěn)定，而影響產(chǎn)品質(zhì)量。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的就在于提供一種用于晶體生長(zhǎng)的熱屏蔽內(nèi)層，該用于晶體生長(zhǎng)的熱屏蔽內(nèi)層無(wú)縫隙，熱損失小，溫場(chǎng)穩(wěn)定。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種用于晶體生長(zhǎng)的熱屏蔽內(nèi)層，所述熱屏蔽內(nèi)層由一組組件疊砌而成，所述組件包括圓弧形基體，該圓弧形基體兩側(cè)分別帶有第一凸起和第二凸起，所述第一凸起前方為第一空體，所述...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。