技術(shù)編號(hào)：8192064
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施方案一般涉及在生長(zhǎng)基材上形成III族氮化物材料的方法以及通過這種方法形成的結(jié)構(gòu)，更特別地涉及使用氯化氣體化學(xué)通過鹵化物氣相外延(HVPE)而形成III族氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法以及通過這種方法形成的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)III族氮化物可包括一種或多種材料，例如氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)、氮化鋁(AlN)和它們的合金(InGaN、AlGaN和InAlGaN)。可使用一種或多種方法用于形成III族氮化物。例如，形成方法可包括金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(M0CVD)、鹵化物氣相外延(HVPE)、分子束外延...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。