技術(shù)編號：8193381
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)區(qū)熔硅單晶的方法，特別涉及一種有效提高區(qū)熔硅單晶徑向電阻率均勻性的直拉區(qū)熔氣摻法。背景技術(shù)生產(chǎn)非本征區(qū)熔硅單晶現(xiàn)有技術(shù)主要有NTD法、區(qū)熔氣摻法和直拉區(qū)熔法三種。NTD中子輻照法生產(chǎn)的區(qū)熔硅單晶電阻率均勻性最高，但成本較大，生產(chǎn)周期長。區(qū)熔氣摻法在生產(chǎn)過程中，通過通入氣態(tài)摻雜劑對區(qū)熔硅單晶進行摻雜。氣態(tài)摻雜劑經(jīng)過氣液相界面將摻雜劑摻入到硅熔體中，進而在硅熔體凝固結(jié)晶后成功將摻雜劑摻入硅單晶中。通過摻雜劑移動路徑可以知道，熔體表面的摻雜劑濃度較高，而熔體內(nèi)部摻雜劑濃度較低。而且由于區(qū)熔法中，...
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