技術(shù)編號(hào)：8199279
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體基板等的被處理基板實(shí)施等離子體處理的等 離子體處理裝置以及等離子體處理方法和存儲(chǔ)介質(zhì)。背景技術(shù)例如，在半導(dǎo)體設(shè)備的制造工序中，為了在作為被處理基板的半 導(dǎo)體晶片上所形成的規(guī)定的層上形成規(guī)定的圖案，多使用以抗蝕劑作 為掩模通過(guò)等離子體進(jìn)行蝕刻的單片式的等離子體蝕刻處理。作為進(jìn)行這種單片式的等離子體蝕刻的等離子體處理裝置，使用 各種裝置，其中以電容耦合型平行平板等離子體處理裝置為主流。在這種電容耦合型平行平板等離子體處理裝置中，在腔室內(nèi)配置 有一對(duì)平行平板電極(上部以及下部電極)，在下部電極上...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。