技術(shù)編號(hào)：8201704
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及ZnO外延薄膜的生長方法，尤其是Si襯底上生長ZnO外延薄膜的方 法。背景技術(shù)ZnO是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其室溫禁帶寬度為3.37eV，室溫激子束縛能為 60meV，是制備藍(lán)光-紫外光發(fā)光二極管和激光器等光電器件的理想材料。目前，高質(zhì)量 的ZnO基材料都是生長在藍(lán)寶石或ScAlMg04襯底上。但藍(lán)寶石襯底的絕緣性及高硬度使 器件制作更加復(fù)雜，而ScAlMg04價(jià)格很高，這都使器件的生產(chǎn)成本上升。相對(duì)于藍(lán)寶石和 ScAlMg04而言，Si材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)，近年來掀起了在Si襯底上如何生長高質(zhì)量...
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