技術(shù)編號(hào):8202308
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明總體上涉及半導(dǎo)體制造和加工。更具體地,本發(fā)明涉及用于在遠(yuǎn)紫外光刻中將同步加速器用作源的方法和裝置。 背景技術(shù)計(jì)算技術(shù)的快速發(fā)展已經(jīng)使得每秒鐘可以對(duì)有時(shí)大至數(shù)萬(wàn)億字節(jié)的數(shù)據(jù)集執(zhí)行 數(shù)萬(wàn)億次計(jì)算操作。這些發(fā)展很大程度上歸功于半導(dǎo)體制造技術(shù)的極大發(fā)展,這些半導(dǎo)體 制造技術(shù)使得可以將數(shù)千萬(wàn)器件集成在單個(gè)芯片上。 在可被印刷的最小特征尺寸方面,傳統(tǒng)光刻工藝接近它們的物理極限。因此,半導(dǎo) 體行業(yè)正積極地考慮將使得特征尺寸進(jìn)一步小型化的各種下一代技術(shù)。比較有希望的技術(shù) 之一是遠(yuǎn)紫外光刻(EUVL),其使用約13nm...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。